发布时间：2021-11-04 11:50:31
摘要：刻蚀机的原理
感应耦合等离子体刻蚀法（InducTIvely CoupledPlasma Etch，简称ICPE）是化学过程和物理过程共同作用的结果。它的基本原理是在真空低气压下，ICP 射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极的RF 射频作用下，这些等离子体对基片表面进行轰击，基片图形区域的半导体材料的化学键被打断，与刻蚀气体生成挥发性物质，以气体形式脱离基片，从真空管路被抽走。
芯片的制造最重要的三个环节就是光刻，刻蚀和沉积，其中，光刻是最复杂、最关键、成本最高、耗时最高的环节。刻蚀的成本仅次于光刻，重要性也在不断上升，而薄膜沉积也是必不可少的重要工序，在制造中，为了实现大型集成电路的分层结构，需要反复进行沉积-刻蚀-沉积的过程。
虽然光刻机受到其他国家的限制，但刻蚀机不同，已经完全实现了弯道超车，光刻机的作用就是在这个小芯片之上雕刻了数以亿计的晶体管和电子元件，那刻蚀机的作用是什么呢？
刻蚀机是什么
从刻蚀的定义和原理上我们知道，它其实就是在晶圆上刻画电路图的过程。
实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。随着微制造工艺的发展；广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。
刻蚀机的原理
感应耦合等离子体刻蚀法（InducTIvely CoupledPlasma Etch，简称ICPE）是化学过程和物理过程共同作用的结果。它的基本原理是在真空低气压下，ICP 射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极的RF 射频作用下，这些等离子体对基片表面进行轰击，基片图形区域的半导体材料的化学键被打断，与刻蚀气体生成挥发性物质，以气体形式脱离基片，从真空管路被抽走。
国内的刻蚀机设备制造商这几年正在奋起直追，并且已经取得了非常可喜的成果。其中有代表性的是上海中微半导体公司和北京的北方华创科技公司。他们在国产刻蚀机设备技术突破方面有重要的贡献。
在2017年，中微半导体研发的7nm等离子体刻蚀机已经在国际一流的集成电路生产线上量产使用，而2019年12月，中微半导体CEO尹志尧也曾透露，他们5nm蚀刻机已经得到了台积电认可，将用于台积电5nm芯片的产线。
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