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HAL732是⼀款基于混合信号CMOS技术的双极锁存型霍尔效应传感器,器件内部集成了电压调节器、带动态偏置补偿系统的霍尔传感器、施密特触发器和⼀个内带上拉电阻的输出驱动,这些都在⼀个封装⾥。
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HAL242是⼀款基于混合信号CMOS技术的霍尔效应传感器,这款IC采⽤了先进的斩波稳定技术,因⽽能够提供准确⽽稳定的磁开关点。 HAL242是由 Hallwee出品的一款双极性低功耗霍尔开关,适用于电池供电类的各种电子产品,比如:手机、手电筒、贺卡、平板电脑等等。可替代干簧管。
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HAL41F⾼温双极锁存型霍尔效应集成传感器是由内部电压稳压单元、霍尔电压发⽣器、差分放⼤器、温度补偿单元、施密特触发器和集电极开路输出级组成的磁敏传感电路,其输⼊为磁感应强度,输出是⼀个数字电压信号。
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HAL3144E具有较宽的⼯作电压范围和较宽的⼯作温度范围,⾮常适合在汽⻋、⼯业电器和家电等产品中⽤作固态电⼦开关。
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HAL583是⼀款基于混合信号CMOS技术的单极锁存型霍尔效应传感器,霍尔器件内部集成了电压调节器、带动态偏置补偿系统的霍尔传感器、施密特触发器和⼀个开漏极输出驱动,这些都在⼀个封装⾥。
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HAL582是⼀款基于混合信号CMOS技术的单极锁存型霍尔效应传感器,霍尔器件内部集成了电压调节器、带动态偏置补偿系统的霍尔传感器、施密特触发器和⼀个开漏极输出驱动,这些都在⼀个封装⾥。
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HAL581是⼀款基于混合信号CMOS技术的单极锁存型霍尔效应传感器,器件内部集成了电压调节器、带动态偏置补偿系统的霍尔传感器、施密特触发器和⼀个开漏极输出驱动,这些都在⼀个封装⾥。
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HAL580是⼀款基于混合信号CMOS技术的单极锁存型霍尔效应传感器,霍尔器件内部集成了电压调节器、带动态偏置补偿系统的霍尔传感器、施密特触发器和⼀个开漏极输出驱动,这些都在⼀个封装⾥。
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HAL543是基于双极半导体(Bipolar)⼯艺设计和⽣产的霍尔效应传感器开关电路。器件内部集成了霍尔效应⽚、电压调节器、反向电压保护器、信号放⼤处理电路、施密特触发器和集电极开漏的输出组成。
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HAL249是⼀款基于混合信号CMOS技术的霍尔效应传感器,这款IC采⽤了先进的斩波稳定技术,因⽽能够提供准确⽽稳定的磁开关点。 HAL249是由 Hallwee出品的一款单极性低功耗霍尔开关,适用于电池供电类的各种电子产品,比如跳绳计数,位置控制开关等,可替代干簧管。

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